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RAM Speicher PNY MN8GSD42666 8 GB DDR4 CL19 SODIMM

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Wenn Sie sich leidenschaftlich mit IT und Elektronikbeschäftigen, mit der Technologie auf dem neuesten Stand sein wollen und nicht einmal die winzigsten Einzelheiten auslassen, kaufen Sie RAM Speicher PNY MN8GSD42666 8 GB DDR4 CL19 SODIMM.
  • Kapazität: 8 GB
  • Art: DDR4
  • Geschwindigkeit: 2666 MHz
  • RAM Speicher: 8 GB
  • Anschluss: 260-pin SoDIMM
  • Latenzzeit: CL19

PNY MN8GSD42666. Component for: Notebook, Arbeitsspeicher (RAM): 8 GB, Memory layout (modules x size): 1 x 8 GB, Interner Speichertyp: DDR4, Speichertaktfrequenz: 2666 MHz, CAS Latenz: 19


  • Arbeitsspeicher (RAM): 8 GB
  • Speicherlayout (Module x Größe): 1 x 8 GB
  • Interner Speichertyp: DDR4
  • Speichertaktfrequenz: 2666 MHz
  • Component for: Notebook
  • CAS Latenz: 19
PNY
S0228744
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